خلاصه مباحث کارشناسی ارشد مبانی و طراحی مدارهای VLSI

کتاب خلاصه مباحث کارشناسی ارشد مبانی و طراحی مدارهای VLSI شامل:

• آمادگی برای کنکور کارشناسی ارشد و دکترای حرفه ای (از کارشناسی تا دکترای حرفه ای)
• قابل استفاده دانشجویان رشته های مهندسی برق (الکترونیک)، مهندسی کامپیوتر و IT و آمادگی برای کنکور دکترای حرفه ای

این کتاب قوی ترین و کامل ترین مرجع دانشگاهی برای درس VLSI و بهترین کتاب برای کنکور کارشناسی ارشد و دکترای حرفه ای می باشد.

شامل مطالب:

• کل مباحث درس VLSI بر اساس سرفصل وزارت علوم
• خلاصه درس – نکات مهم کلیدی و تکنیک های تست زنی
• تست های طراحی شده از منابع اصلی کنکور و کنکورهای آزمایشی با پاسخ تشریحی
• تست های کنکور دانشگاهی سراسری و آزاد طبقه بندی شده با پاسخ تشریحی

مقدمه مولف کتاب:

درس طراحی مدارات VLSI یکی از دروس بسیار مهم در دوره کارشناسی و کارشناسی ارشد رشته های مهندسی الکترونیک و مهندسی کامپیوتر است و حتی در این رشته ها جزء مواد امتحانی مقاطع دکتری هم می باشد. با توجه به اهمیت این درس و نیاز شدید دانشجویان به یک مرجع مفید که تمام نکات اصلی درس را بیان کند و همچنین نکات مهم و تکنیک های تست زنی مطرح شده باشد، لازم دانستم با مطالعه دقیق منابع اصلی کنکور و بررسی نکات کلیدی و مهم درسی و تست زنی، این مجموعه را آماده کنیم. معتقدم با مطالعه دقیق و حساب شده این کتاب (حداقل دو دور) بیش از ۹۰% سوال های کنکور را پاسخ می دهید. انشاءاله

فهرست مطالب کتاب:

مدارهای میکروالکترونیک

1. مروری بر تکنولوژی مدارهای مجتمع
2. قانون اول مور (ترانزیستورهای مجتمع روی یک تراشه)
3. تاریخچه طراحی مدارهای مجتمع
4. تکنولوژی Mos و VLSI (فلز – اکسید – نیمه هادی)
5. ترانزیستورهای اصلی Mos
6. طرز کار ترانزیستور حالت افزایشی (Enhancement)
7. طرز کار ترانزیستور حالت تخلیه ای
8. روش ساخت ترانزیستور Nmos
9. خلاصه فرایند ساخت Nmos
10. تولید نقاب با اشعه الکترونی E
11. خصوصیات الکتریکی مدارهای Mos
12. معکوس کننده Nmos
13. تعیین نسبت بالابر به پایین بر در یک معکوس کننده Nmos تحریک شده از یک معکوس کننده دیگر
14. محاسبه نسبت بالابر به پایین بر در یک معکوس کننده Nmos تحریک شده از طریق یک یا چند ترانزیستور عبور
15. مدارهای مختلف بالابر (pull up)
16. مدل مداری ترانزیستور Mos
17. فرایندهای طراحی مدارهای Mos
18. روش طراحی ترانزیستورهای Nmos
19. قوانین طراحی و چینش
20. قوانین فرایند Mos دوفلزی
21. مشاهده عمومی در قوانین طراحی
22. نکات مهم مربوط به معماری و چینش زیرسیستم
23. منطق سوییچ در طراحی سیستم های دیجیتال با تکنولوژی Mos
24. معکوس کننده
25. بررسی گیت NAND دو ورودی Nmos
26. بررسی گیت های NOR دو ورودی Nmos
27. بررسی ترانزیستورهای Mos
28. خواص ترانزیستورهای انتقال
29. خصوصیات DC معکوس کننده Cmos
30. انواع pull-up
31. مدل مداری ترانزیستور Mos
32. پدیده Latch up در مدارهای Cmos
33. تست های طبقه بندی شده کنکور سراسری و آزاد با پاسخ های تشریحی (فصل اول)
34. تست های طبقه بندی شده کنکورهای آزمایشی با پاسخ تشریحی (فصل اول)

طراحی و ساخت مدارهای Cmos

1. فرایند ساخت Cmos
2. انواع گوناگون فرایندهای ساخت چاه p و چاه n
3. جنبه های حرارتی فرایند ساخت Nmos
4. بررسی تکنولوژی Bi Cmos
5. برخی نکات مهم درباره قطعات دوقطبی و Cmos
6. بررسی معکوس کننده Cmos
7. بررسی رسانایی انتقال g در دو قطبی ها
8. بررسی معکوس کننده Bi Cmos
9. قفل شدگی در مدارهای Cmos
10. پدیده قفل شدگی در Bi Cmos
11. بررسی لایه های Cmos جهت طراحی
12. دیاگرام میله ای در تکنولوژی Cmos
13. سبک طراحی Cmos
14. برش های تماس در قوانین طراحی Cmos
15. قوانین طراحی Cmos مبتنی بر لامبدأ
16. مشاهدات عمومی در قوانین طراحی
17. قوانین دو فلزی – تک پلی برای Cmos / Bi Cmos
18. معرفی مختصر دیاگرامهای چینش (میله ای)
19. تبدیل دیاگرامهای نمادین به شکل نقاب
20. طراحی و چینش زیرسیستم تکنولوژی Cmos و Bi Cmos
21. منطق شبه Nmos
22. منطق Cmos دینامیکی (پویا)
23. منطق Cmos ساعتی C2mos=CCmos
24. منطق دامینوی Cmos
25. منطق n-p Cmos
26. مولد ساعت دو فاز با استفاده از فیلیپ فلاپ ها
27. عنصر ثبات دینامیکی
28. بررسی ثبات شیفت دهنده های دینامیکی
29. تحریک کننده های دو قطبی برای خطوط گذرگاه
30. آرایش های اصلی برای خطوط گذرگاه
31. توان مصرفی مدارهای Cmos و Bi Cmos
32. محدودیت های جریان برای خطوط Vdd و GND – Vss
33. بررسی مدارهای Cmos
34. تست های طبقه شده کنکورهای سراسری آزاد با پاسخ تشریحی (فصل دوم)
35. تست های طبقه بندی شده کنکورهای آزمایشی با پاسخ تشریحی (فصل دوم)

بررسی پارامترهای عملی مدار

1. مقاومت ورقه ای RS
2. مفهوم مقاومت ورقه ای برای ترانزیستورها و معکوس کننده های Mos
3. روش محاسبه ظرفیت خازن سطح
4. واحد تأخیر
5. تأخیر در معکوس کننده ها
6. برآورد زمان صعود و نزول معکوس کننده Cmos
7. تحریک بارهای خازنی بزرگ
8. معکوس کننده های پشت سرهم به عنوان تحریک کننده
9. ابر بافرها (Supper Buffers)
10. تحریک کننده های Bi Cmos
11. تأخیرهای انتشار
12. طراحی سیم های بلند پلی سیلیکونی
13. خازن های سیم بندی (Writing Capacitance)
14. انتخاب لایه ها
15. تغییر مقیاس مدارهای Mos
16. مدل های تغییر مقیاس و ضریب تغییر مقیاس (ScaLing factor)
17. ضرایب تغییر مقیاس برای پارامترهای قطعات
18. محدودیت های تغییر مقیاس
19. ضرایب تغییر مقیاس برای چگالی ناخالصی زیرلایه
20. پهنای ناحیه تخلیه
21. محدودیت های کوچک سازی
22. محدودیت های مقاومت اتصال و تماس
23. محدودیت های ناشی از جریان های زیر آستانه
24. محدودیت های ناشی از اغتشاش روی سطوح منطقی و ولتاژ تغذیه
25. محدودیت های ناشی از چگالی جریان
26. خلاصه پارامترهای مدار
27. سوال های طبقه بندی کنکورهای سراسری و آزاد با پاسخ تشریحی (فصل سوم)
28. سوال های طبقه بندی کنکورهای آزمایشی با پاسخ تشریحی (فصل سوم)

بررسی طراحی مدارهای مختلف در تکنولوژی Cmos

1. بررسی گیت های منطقی مختلف در Cmos
2. بررسی طراحی فیزیکی گیت های مختلف Cmos – Layout
3. روشهای مختلف کلاک کردن (Clocking)
4. بررسی ساختارهای ورودی – خروجی
5. نکات کلیدی فصل چهارم
6. تست های طبقه شده کنکورهای سراسری آزاد با پاسخ تشریحی (فصل چهارم)
7. تست های طبقه بندی شده کنکورهای آزمایشی با پاسخ تشریحی (فصل چهارم)

طراحی مدارهای مختلف کاربردی و بهبود آنها

1. بررسی تکنولوژی های مختلف طراحی
2. بررسی تست مدارهای VLSI
3. بررسی عناصر حافظه
4. بررسی مدارهای جمع کننده
5. راه های بهتر جهت طراحی سیستم های VLSI
6. روش های مختلف جهت نمایش یک طراحی
7. نکات مهم در فرایند طراحی
8. مفهوم نظم در طراحی فرایند
9. محاسبه زمان تکمیل یک جمع کننده با انتخاب نقلی
10. مصرف توان در Cmos و Nmos
11. بررسی یک سلول Ram پویا با سه ترانزیستور
12. بررسی سلول حافظه پویای تک ترانزیستوری
13. بررسی یک سلول RAM / ثبات شبه ایستا
14. مدارها و سیستم های فوق العاده سریع VLSI
15. تکنولوژی VLSI گالیوم آرسناید
16. توسعه تکنولوژی GaAS
17. FET فلز – نیمه هادی MESFET
18. MESFET حالت تخلیه ای
19. MESFET حالت افزایشی
20. FET پیوندی حالت افزایشی (E-JFET)
21. FET پیوندی تکمیلی حالت افزایشی (CE-JFET)
22. ترانزیستورهای با قابلیت تحرک بالای الکترون (HEMT)
23. معکوس کننده با منطق FET تزویج مستقیم (DCFL-direct-Coupled FET Logic)
24. انواع منطق های GaAS MESFET
25. تست های طبقه شده کنکورهای سراسری آزاد با پاسخ تشریحی (فصل پنجم)
26. تست های طبقه بندی شده کنکورهای آزمایشی با پاسخ تشریحی (فصل پنجم)

بهمراه بخش معرفی منابع مرجع دانشگاهی کارشناسی ارشد VLSI در انتهای کتاب